PN结中P区的多数载流子是（），N区的多数载流子是（）。
空穴、电子
举一反三
- N型半导体中多数载流子是____,P型半导体中多数载流子是____,PN结具有____特性
- PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向（）区进行扩散。
- 空间电荷区产生由N区指向P区的电场称为____,它阻碍多数载流子的扩散,但它有利于少数载流子穿过PN结。
- PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由（ ）区向（ ）区进行扩散，N型半导体中的多数载流了由（ ）区向（ ）区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个（ ），其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的( )起削弱作用,对少子的( )起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，( )形成。
- PN结的扩散运动参与的载流子是多数载流子
内容
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PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由 区向 区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由 区向 区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个 区，其方向由 区指向 区。空间电荷区的建立，对多数载流子的 起削弱作用,对少子的 起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时， 形成
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PN结的反向饱和电流与哪些载流子有关? A: 少数载流子 B: 多数载流子 C: 少数载流子和多数载流子
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N型半导体中多数载流子是（），P型半导体中多数载流子是（）
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在P型半导体中,为多数载流子,而在N型半导体中,为多数载流子。当N型半导体和P型半导体结合在一起的时候,在交界面形成PN结,PN结具有导电性,即加正向电压时PN结,加反向电压时PN结。
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P型半导体材料中 P型半导体材料中多数载流子是（），N型半导体材料中多数载流子是（）。多数载流子是（），N型半导体材料中多数载流子是（）。