一个硅pn结，载流子的净产量将存在于：（）。
A: 平衡pn结的势垒区中
B: 正向pn结的势垒区中
C: 反向pn结的势垒区中
D: 正向pn结的扩散区中
A: 平衡pn结的势垒区中
B: 正向pn结的势垒区中
C: 反向pn结的势垒区中
D: 正向pn结的扩散区中
举一反三
- 关于pn结雪崩击穿，下列说法正确的包括： A: 来自高反向偏压下，pn结中载流子的倍增效应。 B: 宽pn结势垒区，有利于产生雪崩击穿。 C: 窄pn结势垒区，有利于产生雪崩击穿。 D: pn结势垒区宽度对雪崩击穿没影响。
- 在pn结中，势垒区的复合电流减少了pn结中的少子注入
- PN结势垒区电势最低的位置是（ ）。 A: 靠近P区的势垒区边界 B: 靠近N区的势垒区边界 C: PN结界面处 D: 电势处处相等
- PN结势垒区电势最低的位置是（ ）。 A: 靠近P区的势垒区边界 B: 靠近N区的势垒区边界 C: PN结界面处 D: 电势处处相等
- 突变pn结内部，载流子浓度和最低的地方是（）。 A: 势垒区边缘 B: 势垒区中部 C: 中性区 D: 扩散区