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  • 2022-06-17
    晶体硅材料在常温下的禁带宽度为( )。
    A: 0.67eV
    B: 0.8eV
    C: 1.12eV
    D: 1.43eV
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    举一反三

    • 半导体材料硅(Si)的禁带宽度是( )? A: 1.2 eV B: 1.4 eV C: 1.05 eV D: 1.12 eV
    • 晶体硅材料在常温下的禁带宽度为eV。
    • 本征硅的禁带宽度为 A: 1.12 eV B: 1.34 eV C: 3 eV D: 0.66 eV
    • 室温下半导体Si的禁带宽度大约为 ()。 A: 0.15 eV B: 1.12 eV C: 2.5 eV D: 4.5 eV
    • 硅材料的禁带宽度为( )eV。 A: 0.7 B: 1.4 C: 2.6 D: 1.12

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      宽度 材料 1.12 0.67 1.43 晶体 ev 0.8ev 1.12ev 1.43ev 常温下 常温 0.67ev 0.8 带宽

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