硅二极管正向导通时,导通电压是(
)V,锗二极管正向导通时,导通电压是(
)V。
A: 1.4
V,1V
B: 1
V,1.4V
C: 0.7
V,0.2
V
D: 0.2
V,0.7
V
)V,锗二极管正向导通时,导通电压是(
)V。
A: 1.4
V,1V
B: 1
V,1.4V
C: 0.7
V,0.2
V
D: 0.2
V,0.7
V
举一反三
- 硅二极管的正向导通压降大约是( )。 A: 0.7 V B: 0.2 V C: 0.3 V D: 1.4 V
- 硅二极管死区电压约为 V，锗二极管死区电压约为 V。硅二极管导通时的管压降约为 V，锗二极管导通时的管压降约为 V
- 按材料分二极管可以分为硅管和锗管。(1)外加正向电压超过二极管死区电压即硅管死区电压约为()V,锗管死区电压约为()时,正向电流迅速增长,二极管进入正向导通区。(2)当二极管正向导通时,硅二极管的正向导通电压约为()V,锗二极管的正向导通电压约为()V。
- 硅二极管加正向导通电压是____V,锗二极管的导通电压是____V。
- 2.4.6锗二极管导通时的正向压降约为V，硅二极管导通时的正向压降约为V。 A: 0.7, 0.2 B: 0.2, 0.7 C: 0.1, 0.5 D: 0.5, 0.9