费米电势与和有关,其值取决于本征费米能级和费米能级之差。
举一反三
- 以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是（） A: 表面处费米能级与本征费米能级重合 B: 表面处费米能级处于本征费米能级与导带底能级的中央 C: 表面处费米能级与本征费米能级之差与体内处本征费米能级与费米能级之差相等 D: 表面势等于费米势的两倍 E: 表面反型电子浓度等于体内空穴浓度
- 室温下,对于某n型半导体,其费米能级在其本征半导体的费米能级之下
- 热平衡条件下，已知有两块材料相同的半导体A和B，两块半导体中的费米能级都在导带底和本征费米能级之间，其中A半导体的费米能级比B半导体的费米能级距离本征费米能级近。问哪个半导体的电子密度高。 A: A半导体 B: B半导体
- 关于“准费米能级”，说法正确的是： A: ”准费米能级“包括价带费米能级和导带费米能级，属于局部费米能级。 B: 非平衡载流子越多，准费米能级偏离费米能级越远。 C: 多数载流子的准费米能级和平衡时的费米能级偏离较多。 D: 少数载流子的准费米能级偏离平衡时的费米能级较小。
- 对于某n型半导体,试证明其费米能级在其本征半导体的费米能级之上,即。