IGBT是MOSFET和GTR复合的产物，具有GTR的异通特性和MOSFET的驱动特性，（）是它的特性。
A: 功率小
B: 开关频率低
C: 通态压降高
D: 损耗功率大
A: 功率小
B: 开关频率低
C: 通态压降高
D: 损耗功率大
举一反三
- 对IGBT下列说法正确的是（） A: IGBT是MOSFET和GTR复合的产物 B: IGBT是MOSFET和GTO复合的产物 C: IGBT具有MOSFET驱动特性和GTR的导通特性。 D: IGBT具有MOSFET驱动特性和GTO的导通特性
- GTR优点（ ）。 A: 耐压高，电流大，开关特性好 B: 通流能力强，饱和压降低 C: 通态压降较低，输入阻抗高 D: 为电压驱动，驱动功率小
- 关于IGBT，说法正确的是： A: 该管是Mosfet和GTR的复合管； B: 该管所有性能都比Mosfet和GTR都要好； C: 该管开关速度比Mosfet慢； D: 同等功率下，该管导通时管压降比Mosfet小；
- 既具备大功率晶体管GTR通态压降小、载流密度大、耐压高的特点，又拥有功率MOSFET驱动功率小、开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好的优点的器件是 A: MOS B: IGBT C: 晶闸管 D: 二级管
- IGBT综合了GTR和MOSFET的优点,具有低导通压降和高输入阻抗的综合优点