关于IGBT说法错误的是（）。
A: 开关速度高
B: 通态压降较低
C: 电压驱动型器件
D: 驱动功率大
A: 开关速度高
B: 通态压降较低
C: 电压驱动型器件
D: 驱动功率大
举一反三
- 有关IGBT说法错误的是哪个？ A: 工作频率高 B: 驱动功率大 C: 电压驱动型器件 D: 通态压降低
- IGBT优点（ ）。 A: 开关速度高，开关损耗小 B: 具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低 C: 工作频率高，不存在二次击穿问题 D: 输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小
- GTR优点（ ）。 A: 耐压高，电流大，开关特性好 B: 通流能力强，饱和压降低 C: 通态压降较低，输入阻抗高 D: 为电压驱动，驱动功率小
- 电流型驱动型器件的特点，下列说法不正确的是（ ） A: 具有电导调制效应，通态压降低 B: 开关工作频率高 C: 需要的驱动电路功率大，驱动电路比较复杂 D: 导通损耗小
- 既具备大功率晶体管GTR通态压降小、载流密度大、耐压高的特点，又拥有功率MOSFET驱动功率小、开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好的优点的器件是 A: MOS B: IGBT C: 晶闸管 D: 二级管