MOSFET源极漏极间的长度L越大，沟道长度调制效应越明显。
举一反三
- 中国大学MOOC: MOSFET源极漏极间的长度L越大，沟道长度调制效应越明显。
- MOSFET源极漏极间的长度L越大，沟道长度调制效应越明显。 A: 正确 B: 错误
- 短沟道MOSFET发生沟道载流子速度饱和之后，会出现哪些现象：（ ）。 A: 饱和漏源电压正比于沟道长度 L B: 阈值电压随L 的缩短而减小 C: 饱和漏极电流与沟道长度L无关 D: 跨导与沟道长度 L 不再有关
- 电力MOSFET（N沟道增强型），漏源极间加正电压，栅源极间电压为零，器件截止。
- MOSFET夹断后，随着漏极电压的增加，导电沟道两端的电压保持不变，但沟道长度L缩短，漏极电压增加，呈现不饱和特性，这种现象称为（）。