由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中，漏源电压VDS应： 。
A: 大于0
B: 小于0
C: 大于或小于0均可
D: 无法确定
A: 大于0
B: 小于0
C: 大于或小于0均可
D: 无法确定
举一反三
- 中国大学MOOC: 由N沟道增强型场效应管构成的放大电路中，漏源电压VDS应： 。
- N沟道增强型场效应管的栅源电压( )。 A: 大于0 B: 小于0 C: 等于0 D: 可正可负可零
- N沟道耗尽型场效应管中，漏源电压VDS越大，漏源电流IDS： 。 A: 越大 B: 越小 C: 不变 D: 无法确定
- 负反馈放大电路中的回路增益AF应是______。 A: 大于0 B: 小于0 C: 大于0或小于0
- 对于N沟道JFET，对应栅源电压vGS ，漏源电压vDS，夹断电压vP，描述正确的是 。 A: vGS=0，vDS=0时，沟道不存在，漏极电流iD=0 B: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD=0 C: vGS=0，vDS=∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流饱和 D: vGS=0，vDS＞∣vP∣时，沟道夹断，漏极电流iD继续增大