小尺寸MOS器件中的二级效应包括哪些？
举一反三
- MOS器件小信号模型中的gmb是由MOS管的(<br/>)效应引起。 A: 二级 B: 衬偏 C: 沟长调制 D: 亚阈值导通
- 下列哪些不属于计算MOS管最高振荡频率的非理想因素（ ）。 A: 小尺寸器件沟道长度采用栅极长度计算 B: 晶格散射导致的载流子迁移率退化 C: 小尺寸器件中的纵向电场 D: 栅漏电容的米勒效应
- MOS管尺寸缩小对器件性能有哪些影响？
- 如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？
- 下列哪项在计算MOS管最高振荡频率时，可以不考虑（ ）。 A: 小尺寸器件沟道长度与栅极长度并不完全相等 B: 晶格散射导致的载流子迁移率退化 C: 小尺寸器件中的纵向电场 D: 栅漏电容的米勒效应