半导体载流子在输运过程中,会受到各种散射机构的散射,主要散射机构有()、 ()、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。
电离杂质的散射;晶格振动的散射
举一反三
- 半导体载流子在输运过程中,会受到各种散射机构的散射,主要散射机构有( ) A: 电离杂质散射 B: 载流子间的散射 C: 中性杂质散射 D: 晶格振动散射
- Si、Ge元素半导体的主要散射机构为: A: 电离杂质散射 B: 谷间散射 C: 位错散射 D: 声学波散射
- Si、Ge元素半导体的主要散射机构为: A: 电离杂质散射 B: 声学波散射 C: 光学波散射 D: 谷间散射 E: 位错散射
- 下列哪个是Si、Ge元素半导体的主要散射机构? A: 电离杂质散射 B: 晶格振动散射 C: 光学波散射 D: 谷间散射 E: 位错散射
- Si、Ge元素半导体的主要散射机构为:() A: 光学波散射 B: 声学波散射 C: 电离杂质散射 D: 谷间散射
内容
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杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()
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电离杂质的散射是半导体中一种主要的散射机构,电离杂质的浓度Ni越大,载流子遭受散射的机会越多;温度越高,载流子遭受散射的机会越少。(<br/>)
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在半导体中,不影响载流子的迁移率的散射机制是( ) A: 晶格散射 B: 电离杂质散射 C: 声子散射 D: 固体散射
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在室温下,n型硅半导体中电子的迁移率主要取决于( ) A: 电离杂质散射 B: 晶格散射 C: 位错散射 D: 电子间散射
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在元素半导体中不起作用的散射是( )。 A: 电离杂质散射 B: 声学波散射 C: 光学波散射 D: 位错散射