• 2022-06-06
    根据晶体场理论,八面体场场强不同有可能产生高自旋和低自旋的电子构型是
    A: [img=23x17]1802e520f20894e.png[/img]
    B: [img=24x24]1802e520f9eba7e.png[/img]
    C: [img=24x23]1802e52102ef59e.png[/img]
    D: [img=21x26]1802e5210b5f48d.png[/img]
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    内容

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      根据晶体场理论,在八面体场中,由于场强的不同,有可能产生高自旋或低自旋的电子构型是: A: [img=17x22]1803d4de909ab3f.png[/img] B: [img=17x22]1803d4de99a0e8d.png[/img] C: [img=17x22]1803d4dea1e7e25.png[/img] D: [img=17x22]1803d4deaa5f912.png[/img]

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      根据晶体场理论,在八面体场中,由于场强的不同,有可能产生高自旋或低自旋的电子构型是: A: [img=17x22]1803588bc175fbf.png[/img] B: [img=17x22]1803588bc97a8e5.png[/img] C: [img=17x22]1803588bd246a1b.png[/img] D: [img=17x22]1803588bda4a10f.png[/img]

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      设随机变量X服从均值为2的指数分布,X的分布函数为F(x),数学期望为E(X),方差为D(X),则以下结果正确的是 A: [img=128x28]1802d3b369ab5fe.png[/img] B: D(X)=4 C: P(X<2︱X>1)=F(1) D: P(X>2︱X>1)= F(1) E: [img=112x27]1802d3b372fb534.png[/img] F: D(X)=E(X) G: P(X≤2︱X>1)= F(2) H: [img=82x27]1802d3b37bbbf05.png[/img]

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      设随机变量X服从均值为2的指数分布,X的分布函数为F(x),数学期望为E(X),方差为D(X),则以下结果正确的是 A: [img=128x28]18034b986fbc78a.png[/img] B: D(X)=4 C: P(X<2︱X>1)=F(1) D: P(X>2︱X>1)= F(1) E: [img=112x27]18034b98781508a.png[/img] F: D(X)=E(X) G: P(X≤2︱X>1)= F(2) H: [img=82x27]18034b9880d080a.png[/img]

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      设随机变量X服从均值为2的指数分布,X的分布函数为F(x),数学期望为E(X),方差为D(X),则以下结果正确的是 A: [img=128x28]18033e117e9725e.png[/img] B: D(X)=4 C: P(X<2︱X>1)=F(1) D: P(X>2︱X>1)= F(1) E: [img=112x27]18033e11879f263.png[/img] F: D(X)=E(X) G: P(X≤2︱X>1)= F(2) H: [img=82x27]18033e1190d2ef2.png[/img]