在杂质半导体中少数载流子的数量主要与 有关。(a.掺杂浓度、b.温度)
A: 掺杂浓度
B: 温度
C: 半导体材料类型
D: 杂质材料类型
A: 掺杂浓度
B: 温度
C: 半导体材料类型
D: 杂质材料类型
B
举一反三
内容
- 0
在杂质半导体中多子的数量与 （ ）有关； A: 掺杂浓度 B: 温度 C: 光照 D: 掺杂类型
- 1
在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。
- 2
杂质半导体中多数载流子的浓度主要由__决定，少数载流子的浓度主要由__决定。（ ） A: 温度，温度 B: 掺杂浓度，温度 C: 温度，掺杂浓度 D: 不确定
- 3
杂质半导体中多数载流子的数量取决于掺杂的浓度，而少数载流子的数量则与温度有关，温度越高，少数载流子的数量
- 4
在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） 。 A: 温度 B: 掺杂工艺 C: 杂质浓度 D: 晶体缺陷