PN结的反向击穿有雪崩和（）两种击穿。
举一反三
- PN结发生反向击穿的机理分为两种,分别为雪崩击穿和齐纳击穿,其中,雪崩击穿发生在(B)的PN结中,击穿电压VBR( )
- 低掺杂 PN 结反向击穿为雪崩击穿。
- 引起PN结击穿的基本机理有 A: 热电击穿 B: 隧道击穿 C: 雪崩击穿 D: 反向击穿
- 下面关于PN结的反向击穿特性，描述正确的是：（ ） A: PN结有齐纳击穿和雪崩击穿两种电击穿。电击穿后会产生大量的电子-空穴对，使反向击穿电流激增。 B: 高浓度的掺入杂质且耗尽层很窄的PN结反向电击穿时，一般为齐纳击穿。 C: 低浓度的掺入杂质且耗尽层比较宽的PN结反向电击穿时，一般为雪崩击穿。 D: 电击穿和热击穿均为可逆的击穿，不会损坏PN结。
- PN结发生反向击穿的机理分为两种,分别为雪崩击穿和齐纳击穿,其中,雪崩击穿发生在(B)的PN结中,击穿电压VBR()。 A: 重掺杂 B: 轻掺杂 C: 较高 D: 较低