CR光量子噪声的量与下述哪项成反比：（）
A: 入射的X线量
B: IP的X线吸收效率
C: IP的光激发发光量
D: 聚集ISL的光导器的集光效率
E: 以上都是
A: 入射的X线量
B: IP的X线吸收效率
C: IP的光激发发光量
D: 聚集ISL的光导器的集光效率
E: 以上都是
举一反三
- CR光量子噪声的量与下述哪项成反比 A: 入射的X线量 B: IP的x线吸收效率 C: IP的光激励发光量 D: 以上都是
- CR中的噪声不包括 A、X线量子噪声 B、光激励发光噪声 C、成像板结构噪声 D、增感屏结构噪声 E、电子噪声
- 荧光量子效率是指（ ）。 A: 荧光强度与吸收光强度之比 B: 发射荧光的光（量）子数与吸收激发光的光（量）子数之比 C: 发射荧光的分子数与物质的总分子数之比 D: 物质的总分子数与吸收激发光的分子数之比
- 在CR系统中固有噪声包括 A: IP结构噪声 B: 激光噪声 C: X线量子噪声 D: 模拟电路噪声
- 在CR系统中固有噪声不包括（） A: IP结构噪声 B: 胶片的结构噪声 C: 激光噪声 D: X线量子噪声 E: 模拟电路噪声