下面三个图形，描述了结型场效应管UDS=0V时，UGS对导电沟道的控制作用，下列文字描述正确的是（ ）。[img=300x387]1803296ccae347c.png[/img][img=473x429]1803296cd8a01dd.png[/img][img=492x386]1803296ce7bca1f.png[/img]
A: 左图表明，UGS等于0时，结型场效应管的耗尽层最窄，导电沟道最宽，沟道电阻最小。
B: 中图表明，随着UGS绝对值的增加，结型场效应管的耗尽层变宽，导电沟道变窄，沟道电阻变大。
C: 右图表明，UGS的绝对值增加到某一值时，结型场效应管的耗尽层最宽，导电沟道变为零，沟道电阻变为最大。
D: 右图的状况，称为结型效应管的全夹断，UGS对应的某一值，称为夹断电压，表明，结型场效应管具有可控的开路特性。
A: 左图表明，UGS等于0时，结型场效应管的耗尽层最窄，导电沟道最宽，沟道电阻最小。
B: 中图表明，随着UGS绝对值的增加，结型场效应管的耗尽层变宽，导电沟道变窄，沟道电阻变大。
C: 右图表明，UGS的绝对值增加到某一值时，结型场效应管的耗尽层最宽，导电沟道变为零，沟道电阻变为最大。
D: 右图的状况，称为结型效应管的全夹断，UGS对应的某一值，称为夹断电压，表明，结型场效应管具有可控的开路特性。
举一反三
- 下面两个图形为UGS一定的情况下，UDS对结型场效应管导电沟道的影响情况。下面描述正确的是（ ）。[img=639x617]1803bc94ba32bad.png[/img]和[img=654x585]1803bc94c4a0b42.png[/img] A: 左图表明，UDS为零时，结型场效应管d、s两端的耗尽层以及导电沟道，上下对称. B: 右图表明，UDS不为零时，UDS沿着结型场效应管内部的导电沟道电阻，自上而下分压，即导电沟道中，越靠近d端的点的电压越高，越靠近s端的点的电压越低，也即UGD的绝对值要大于UGS的绝对值。 C: 右图表明，UDS不为零时，越靠近d端的耗尽层越窄，越靠近s端的耗尽层越宽。 D: 右图表明，UDS不为零时，越靠近d端的导电沟道越窄，越靠近s端的导电沟道越宽，整个导电沟道形成楔形。
- 栅源控制电压为0时，导电沟道存在的场效应管有 A: 结型场效应管 B: 增强型MOS管 C: 耗尽型MOS管
- 当uGS=0时，漏源间不存在导电沟道的为 。 A: 增强型MOS管 B: 耗尽型MOS管 C: 结型场效应管
- 已知某场效应管的转移特性曲线如下图所示，则该场效应管为[img=298x263]17e0b1c0226633a.png[/img] A: N沟道结型场效应管 B: P沟道结型场效应管 C: N沟道增强型MOS管 D: P沟道增强型MOS管 E: N沟道耗尽型MOS管 F: P沟道耗尽型MOS管
- 5、下列场效应管中，没有原始导电沟道的是（ ）。 A: 结型场效应管 B: 耗尽型P沟道MOS管 C: 增强型N沟道MOS管 D: 耗尽型N沟道MOS管