CCD器件电子势阱中的信号电荷数量,与(
)成正比。
A: 栅极电压VG
B: 驱动时钟脉冲频率f
C: 总受光量
)成正比。
A: 栅极电压VG
B: 驱动时钟脉冲频率f
C: 总受光量
举一反三
- CCD器件电子势阱中的信号电荷数量,与()成正比。 A: 栅极电压VG; B: 外来光的强度及照射时间; C: 驱动时钟脉冲频率; D: 电荷包的转移驱动方法。
- CCD势阱能收集的最大电荷量取决于（）。 A: CCD的电极面积 B: 时钟脉冲的驱动方式 C: 电压电平 D: CCD的材料
- 以下关于CCD的说法中，正确的有（ ）。 未知类型：{'options': ['CCD芯片上最重要的部分是MOS电容阵列。', ' 在时钟脉冲信号的作用下，CCD内的信号能够从浅势阱向深势阱转移。', ' 每个光敏元上有三个相邻的转移电极：S。', ' 线阵64位CCD有192个栅极电极，原因是：64[img=11x15]17e0a74713714a0.jpg[/img]3=192。', ' CCD势阱的深浅受栅极电压的控制：电压高，势阱浅；电压低，势阱深。', ' CCD输出的电脉冲信号与光敏元的受光强弱有关。'], 'type': 102}
- CCD势阱能收集的最大电荷量取决于（）。 A: ACCD的电极面积 B: B时钟脉冲的驱动方式 C: C电压电平 D: DCCD的材料
- CCD产生的电荷由什么因素决定:( ) A: 光照时间 B: 光照强度 C: 势阱电压 D: 进光量 E: 势阱深度