下列关于本征半导体，说法正确的有？
A: 本征半导体是一块没有杂质和缺陷的半导体
B: 本征半导体的费米能级位于禁带的中线附近
C: 本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
D: 本征半导体的电阻率随温度升高而单调下降
A: 本征半导体是一块没有杂质和缺陷的半导体
B: 本征半导体的费米能级位于禁带的中线附近
C: 本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度
D: 本征半导体的电阻率随温度升高而单调下降
A,B,C,D
举一反三
- 若某材料电阻率随温度升高而单调下降，该材料是 （ ） A: 并半导体 B: 本征半导体 C: 金属导体 D: 杂质半导体
- 关于本征半导体，下列说法中错误的是（ ）。 A: 本征半导体的费米能级与温度无关，只决定于材料本身 B: 本征半导体不含有任何杂质和缺陷 C: 本征半导体的费米能级基本位于禁带中线处
- 关于本征半导体，下列说法中正确的是（ ） A: 本征半导体的费米能级 E =E 基本位于禁带中线处 B: 本征半导体不含有任何杂质和缺陷 C: 本征半导体的电中性条件是 qn =qp D: 本征半导体的费米能级与温度无关，只决定于材料本身
- 关于本征半导体，下列说法中错误的是（） A: 本征半导体的费米能级EF=Ei基本位于禁带中线处 B: 本征半导体不含有任何杂质和缺陷 C: 本征半导体的费米能级与温度无关，只决定于材料本身 D: 本征半导体的电中性条件是qn0=qp0
- 关于本征半导体，下列说法哪些是正确的？ A: 本征半导体的载流子浓度来源于本征激发 B: 本征半导体，电子浓度等于空穴浓度 C: 本征半导体的载流子浓度与温度无关 D: 一定温度下，半导体的禁带宽度越大，本征载流子浓度越小
内容
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写出什么是导体、绝缘体、半导体、晶体和本征半导体
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本征半导体是指()。 A: 不含杂质和缺陷的半导体 B: 电子浓度和本征载流子浓度相等的半导体 C: 空穴浓度和本征载流子浓度相等的半导体 D: 电阻率最高的半导体
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关于本征半导体,下列说法错误的是。 A: 导带中填满电子的状态聚集在导带底部； B: 本征半导体的费米能级位于禁带中央； C: 随温度升高，本征半导体电阻率升高； D: 本征半导体的导电能力主要取决于导带中电子数量或价带中空穴数量。
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n型半导体在热平衡状态下，导带电子浓度______ 本征载流子浓度，价带空穴浓度______ 本征载流子浓度。费米能级______ 本征费米能级
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以下关于“本征半导体”与“杂质半导体”的描述正确的是 A: 纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体。 B: 实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体。 C: 本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体。 D: 本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体。 E: n型半导体依靠导带电子导电。 F: p型半导体依靠价带空穴导电。 G: 本征半导体中载流子由本征激发产生。 H: 本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度。 I: 施主杂质电离可以为半导体提供导电电子。 J: 受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴。