在HCNC（华中数控系统）中，刀具长度补偿可同时施加在多个轴上。

HCNC（华中数控系统）中S所编程的主轴转速可以用机床面板上的主轴倍率开关调整。

HCNC（华中数控系统），当开始运动时，能自动执行加速过程，目的是（）。 A: 加速运动； B: 减小间隙； C: 平滑启动； D: 缩短工期；

HCNC（华中数控系统），当结束运动时，能自动执行减速过程，目的是（）。 A: 平滑停止； B: 立即刹车； C: 避免碰撞； D: 提高效率；

HCNC（华中数控系统）中，G00为快速定位指令，目前最多可实现（）同时控制。 A: 3轴 B: 4轴 C: 6轴 D: 9轴

HCNC（华中数控系统）中，G92指令通过设定（）相对于工件坐标系原点的相对位置，建立工件坐标系。 A: 机床原点 B: 刀具起点 C: 刀具终点 D: 任意点

HCNC（华中数控系统）中，应使刀具长度补偿的偏置值与偏置号相对应，可以通过（）先设置在偏置存贮器中。 A: ROM； B: RAM； C: CPU； D: MDI/CRT；

HCNC（华中数控系统）插补机能是根据来自缓冲区中存储的零件程序数据段信息，以（）进行计数，不断向系统提供坐标轴的位置命令，这种计算叫做插补计算。 A: 数字方式； B: 模拟信息； C: 物理方式； D: 连续信息；

相同物质的量浓度的NaCN和NaClO相比，NaCN溶液的pH较大，则同温同体积同浓度的HCN和HClO说法正确的是( )A．电离程度：HCN＞HClOB．pH：HClO＞HCNC．与NaOH溶液恰好完全反应时，消耗NaOH的物质的量：HClO＞HCND．酸根离子浓度：c(CN－)＜c(ClO－) A: 电离程度：HCN＞HClO B: pH：HClO＞HCN C: 与NaOH溶液恰好完全反应时，消耗NaOH的物质的量：HClO＞HCN D: 酸根离子浓度：c(CN－)＜c(ClO－)