下面程序的运行结果是( )。 union un { int a; int b; int c;}; main() { union un u; u.a=1; u.b=2; u.c=3; printf(“a=%d,b=%d,c=%d\n”,u.a,u.b,u.C.; } A: a=3,b=3,c=3 B: a=1,b=2,c=3 C: a=1,b=1,c=1 D: a=2,b=2,c=2
下面程序的运行结果是( )。 union un { int a; int b; int c;}; main() { union un u; u.a=1; u.b=2; u.c=3; printf(“a=%d,b=%d,c=%d\n”,u.a,u.b,u.C.; } A: a=3,b=3,c=3 B: a=1,b=2,c=3 C: a=1,b=1,c=1 D: a=2,b=2,c=2
已知某电路中Uab=-5V,Ubc=3V,则a、b、c三点电位的高低为()。 A: U>U>U B: U>U>U C: U>U>U D: U>U>U
已知某电路中Uab=-5V,Ubc=3V,则a、b、c三点电位的高低为()。 A: U>U>U B: U>U>U C: U>U>U D: U>U>U
NPN型三极管处于放大状态时,各极电位关系是()。 A: U>U>U B: U>U>U C: U<U<U D: U<U>U
NPN型三极管处于放大状态时,各极电位关系是()。 A: U>U>U B: U>U>U C: U<U<U D: U<U>U
u (5-t) u (t)= : A: u (t)- u (t-5) B: u (t) C: u (t)- u (5-t) D: u (5-t)
u (5-t) u (t)= : A: u (t)- u (t-5) B: u (t) C: u (t)- u (5-t) D: u (5-t)
在RL串联电路电压三角形中功率因数Cosφ=()。 A: U/U B: U/U C: U/U D: U/U
在RL串联电路电压三角形中功率因数Cosφ=()。 A: U/U B: U/U C: U/U D: U/U
计算u(3-t)u(t)=( ) A: u(t)-u(t-3) B: u(t) C: u(t)-u(3-t) D: u(3-t)
计算u(3-t)u(t)=( ) A: u(t)-u(t-3) B: u(t) C: u(t)-u(3-t) D: u(3-t)
令f1(t)=u(t),f2(t)=(t)求u(t+2)-u(t-2)*的值 A: u(t+6)-u(t+2)+u(t+2)-u(t-6) B: u(t+6)+u(t+2)+u(t+2)+u(t-6) C: u(t+6)+u(t+2)+u(t+2)-u(t-6) D: u(t+6)-u(t+2)-u(t+2)+u(t-6)
令f1(t)=u(t),f2(t)=(t)求u(t+2)-u(t-2)*的值 A: u(t+6)-u(t+2)+u(t+2)-u(t-6) B: u(t+6)+u(t+2)+u(t+2)+u(t-6) C: u(t+6)+u(t+2)+u(t+2)-u(t-6) D: u(t+6)-u(t+2)-u(t+2)+u(t-6)
在晶闸管整流电路中,若有U A: U=U B: U=(2~3)U C: U=(5~10)U D: U≥10U
在晶闸管整流电路中,若有U A: U=U B: U=(2~3)U C: U=(5~10)U D: U≥10U
渗流模型流速u与实际渗流流速u'相比较()。 A: u>u' B: u=u' C: u D: 不确定
渗流模型流速u与实际渗流流速u'相比较()。 A: u>u' B: u=u' C: u D: 不确定
增强型NMOS场效应管必须在()时,才能形成导电沟道,在U A: U>U B: U<U C: U=0 D: U>U
增强型NMOS场效应管必须在()时,才能形成导电沟道,在U A: U>U B: U<U C: U=0 D: U>U