增强型NMOS管的截止条件为__( )____。 A: UGS > UT B: UGS < UT C: UDS = VDD D: UDS < VDD

对N沟道JFET管工作在恒流区时( ),工作在可变电阻区时( ),工作在预夹断状态时( )。 A: UDS=(UGS-UGS(th)) B: UDS<(UGS-UGS(th)) C: UDS>(UGS-UGS(th))

为使N沟道结型场效应管正常工作，应保证（） A: UGS<;0，UDS>;0 B: UGS>;0，UDS>;0 C: UGS<;0，UDS<;0 D: UGS>;0，UDS<;0

P沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是() A: UGST,UDS≥UDS-UT B: UGST,UDS≤UGS-UT C: UGS>UT,UDS≥UDS-UT D: UGS>UT,UDS≤UGS-UT

为使N沟道结型场效应管正常工作，应保证（） A: UGS&lt;0，UDS&gt;0 B: UGS&gt;0，UDS&gt;0 C: UGS&lt;0，UDS&lt;0 D: UGS&gt;0，UDS&lt;0

为保证N沟道增强型MOS管工作在恒流区，应满足 。 A: uGS＞0，uDS＜0 B: uGS＞0，uDS＞0 C: uGS＜0，uDS＞0 D: uGS＜0，uDS＜0

N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是： A: UGS&gt; UGS(th), UDS&gt; UGS - UGS(th) B: UGS&gt; UGS(th), UDS&lt; UGS - UGS(th) C: UGS&lt;UGS(th), UDS&gt; UGS - UGS(th) D: UGS&lt; UGS(th), UDS&lt;UGS - UGS(th)

结型场效应管中，外加电压UGS和UDS 的极性()

表格的基本语法结构（ ）。 A: &lt;table&gt; &lt;td&gt; &lt;tr&gt; &lt;/tr&gt;&lt;/td&gt; &lt;/table&gt; B: &lt;table&gt; &lt;td&gt; &lt;/tr&gt; &lt;tr&gt; &lt;/td&gt; &lt;/table&gt; C: &lt;tr&gt; &lt;table&gt; &lt;td&gt; &lt;/td&gt; &lt;/table&gt;&lt;/tr&gt; D: &lt;table&gt;&lt;tr&gt;&lt;td&gt;&lt;/td&gt;&lt;/tr&gt;&lt;/table&gt;

HTML5的基本结构是（ ） A: &lt;html&gt;&lt;body&gt;&lt;/body&gt;&lt;head&gt;&lt;/head&gt;&lt;/html&gt; B: &lt;html&gt;&lt;head&gt;&lt;/head&gt;&lt;body&gt;&lt;/body&gt;&lt;/html&gt; C: &lt;html&gt;&lt;head&gt;&lt;/head&gt;&lt;foot&gt;&lt;/foot&gt;&lt;/html&gt; D: &lt;html&gt;&lt;head&gt;&lt;title&gt;&lt;/title&gt;&lt;/head&gt;&lt;/html&gt;