已知一组记录为(46,74,53,14,26,38,86,65,27,34),采用直接插入排序法进行排序时第一趟的排序结果。 A: [46 74] 53 14 26 38 86 65 27 34 B: [46 53] 74 14 26 38 86 65 27 34 C: [14 46] 53 74 26 38 86 65 27 34 D: [46] 74 53 14 26 38 86 65 27 34

已知一组记录为(46,74,53,14,26,38,86,65,27,34),采用快速排序法进行排序时第一趟的排序结果是( )。 A: [34 27 38 14 26] 46 [74 53 86 65] B: [14 26 38 27 34] 46 [74 53 86 65] C: [34 27 38 14 26] 46 [86 65 53 74] D: 都不对

[img=91x21]17de8822e93cbeb.png[/img]是吸热反应，正反应的活化能为Ea(1)，逆反应的活化能为Ea(2)，那么（ ）。 A: Ea(1)<;Ea(2) B: Ea(1)>;Ea(2) C: Ea(1)=Ea(2) D: Ea(1)=2Ea

A=B+C是放热反应，正反应的活化能为Ea(1)，逆反应的活化能为Ea(2)，那么 A: Ea(1)Ea(2) B: Ea(1)=Ea(2) C: Ea(1)=2Ea(2)

假设允许外部中断1中断,并设定为高级中断,采用边沿触发方式,其他中断源为低级中断,应该如何编写？ A: IT1=1 B: EX1=1 C: EA=1 D: PX1=1 E: EX0=1 F: EA=0

​面心立方晶体的致密度为 。‎‎ A: 100% B: 68% C: 74% D: 53%

二进制数110101对应的十进制数是 A）44 B）65 C）53 D）74

有一电场的电场线如图所示，场中A、B两点的场强和电势分别用EA、EB和φA、φA表示，则（） A: EA＞E B: φA＞φB C: EA＞E D: φA＜φB E: EA＜E F: φA＞φB G: EA＜E H: φA＜φB

假设允许外部中断1中断,并设定为高级中断,采用边沿触发方式,其他中断源为低级中断,应该如何编写(多选) A: EA=0 B: EA=1 C: EX1=1 D: EX0=1 E: PX1=1 F: IT1=1

对外部中断0进行初始化的指令是()。 A: IT0=1; EX0=1; EA=1; B: TF0=1; EX0=1; EA=1; C: TMOD=1; EX0=1; EA=1; D: TF1=1; EX0=1; EA=1;