系统的开环传递函数为【图片】，开环对数幅频特性曲线中，低频段渐近线斜率为,高频段渐近线斜率为 A: -20dB/dec, -40dB/dec B: -20dB/dec, -60 dB/dec C: -40dB/dec, -60 dB/dec D: -40dB/dec, -80 dB/dec
系统的开环传递函数为【图片】，开环对数幅频特性曲线中，低频段渐近线斜率为,高频段渐近线斜率为 A: -20dB/dec, -40dB/dec B: -20dB/dec, -60 dB/dec C: -40dB/dec, -60 dB/dec D: -40dB/dec, -80 dB/dec
系统的开环传递函数为[img=256x44]17de87930216701.png[/img]，开环对数幅频特性曲线中，低频段渐近线斜率为 , 高频段渐近线斜率为 A: -20dB/dec , -40 dB/dec B: -20dB/dec , -60 dB/dec C: -40dB/dec , -60 dB/dec D: -40dB/dec , -80 dB/dec
系统的开环传递函数为[img=256x44]17de87930216701.png[/img]，开环对数幅频特性曲线中，低频段渐近线斜率为 , 高频段渐近线斜率为 A: -20dB/dec , -40 dB/dec B: -20dB/dec , -60 dB/dec C: -40dB/dec , -60 dB/dec D: -40dB/dec , -80 dB/dec
Ⅱ型系统对数幅频特性的低频段渐近线斜率为（ ）。 A: －20（dB/dec） B: －60（dB/dec） C: －40（dB/dec） D: 0（dB/dec）
Ⅱ型系统对数幅频特性的低频段渐近线斜率为（ ）。 A: －20（dB/dec） B: －60（dB/dec） C: －40（dB/dec） D: 0（dB/dec）
II型系统对数幅频特性的低频段渐近线斜率为（ ） A: 0（dB/dec） B: –20（dB/dec） C: –40（dB/dec） D: –60（dB/dec）
II型系统对数幅频特性的低频段渐近线斜率为（ ） A: 0（dB/dec） B: –20（dB/dec） C: –40（dB/dec） D: –60（dB/dec）
II型系统对数幅频特性的低频段渐近线斜率为( )。 A: –60(dB/dec) B: –40(dB/dec) C: –20(dB/dec) D: 0(dB/dec)
II型系统对数幅频特性的低频段渐近线斜率为( )。 A: –60(dB/dec) B: –40(dB/dec) C: –20(dB/dec) D: 0(dB/dec)
II型系统的对数幅频特性的低频段渐近线斜率为（） A: –60（dB/dec） B: –40（dB/dec） C: –20（dB/dec） D: 0（dB/dec）
II型系统的对数幅频特性的低频段渐近线斜率为（） A: –60（dB/dec） B: –40（dB/dec） C: –20（dB/dec） D: 0（dB/dec）
II型系统的对数幅频特性的低频段渐近线斜率为（） A: –60（dB/dec） B: –40（dB/dec） C: –20（dB/dec） D: 0（dB/dec）
II型系统的对数幅频特性的低频段渐近线斜率为（） A: –60（dB/dec） B: –40（dB/dec） C: –20（dB/dec） D: 0（dB/dec）
惯性环节的对数幅频特性图中，低频段（小于转角频率）渐近线斜率为 A: -60(dB/dec) B: -40(dB/dec) C: -20(dB/dec) D: 0(dB/dec)
惯性环节的对数幅频特性图中，低频段（小于转角频率）渐近线斜率为 A: -60(dB/dec) B: -40(dB/dec) C: -20(dB/dec) D: 0(dB/dec)
惯性环节对数幅频特性曲线高频段的渐近线斜率为（ ）dB/dec。 A: 0 B: -40 C: -20 D: 40 E: 20 F: -60
惯性环节对数幅频特性曲线高频段的渐近线斜率为（ ）dB/dec。 A: 0 B: -40 C: -20 D: 40 E: 20 F: -60
芯片在实际工作状态中，温度甚至可以达到400K，这时MOSFET器件的亚阈值摆幅最小可以是（ ） A: 45 mV/dec B: 60 mV/dec C: 70 mV/dec D: 80 mV/dec
芯片在实际工作状态中，温度甚至可以达到400K，这时MOSFET器件的亚阈值摆幅最小可以是（ ） A: 45 mV/dec B: 60 mV/dec C: 70 mV/dec D: 80 mV/dec