对于n沟增强型MOSFET，VG=0时，沟道电导（），必须加（）偏压才能工作。对于n沟耗尽型MOSFET，VG=0时，沟道电导（），必须加（）偏压才能工作。

若不考虑价格因素，则2003年~2011年九年，江苏金融业增加值年均增速VL、第三产业增加值年均增速VS，地区国内生产总值年均增速VG的大小关系是（）。 A: VS＞VL＞VG B: VL＞VG＞VS C: VL＞VS＞VG D: VS＞VG＞VL

固体催化剂的平均孔半径r与比孔容Vg、比表面积S之间的关系为（）。 A: r＝2Vg/S B: r=Vg/S C: Vg＝r/S D: Vg＝S/r

船舶对水航速VL,对地航速VG,船速VE,如果VG

以下哪些机型属于外销机型空调（） A: KFR-35G/19FZBPH-2 B: KF-23G/VG-N2C C: AS-24CT4SBBTJ00C（WLP） D: KFR-35W/18FZBPH-3

设`\n`阶方阵`\A`满足`\|A| = 2`，则`\|A^TA| = ,|A^{ - 1}| = ,| A^ ** | = ,| (A^ ** )^ ** | = ,|(A^ ** )^{ - 1} + A| = ,| A^{ - 1}(A^ ** + A^{ - 1})A| = `分别等于（ ） A: \[4,\frac{1}{2},{2^{n - 1}},{2^{{{(n - 1)}^2}}},2{(\frac{3}{2})^n},\frac{{{3^n}}}{2}\] B: \[2,\frac{1}{2},{2^{n - 1}},{2^{{{(n + 1)}^2}}},2{(\frac{3}{2})^n},\frac{{{3^n}}}{2}\] C: \[4,\frac{1}{2},{2^{n + 1}},{2^{{{(n - 1)}^2}}},2{(\frac{3}{2})^{n - 1}},\frac{{{3^n}}}{2}\] D: \[2,\frac{1}{2},{2^{n - 1}},{2^{{{(n - 1)}^2}}},2{(\frac{3}{2})^{n - 1}},\frac{{{3^n}}}{2}\]

以下关于衬底为p型的理想MOS结构C-V特性的说法中，错误的是（）。 A: 在较大负电压时，C为常数值Cox B: 当Vg=0时，出现平带情况，此时电容为平带电容 C: 当Vg>0时，低频时C随着Vg增加，并将趋于一个定值 D: 当Vg>0时，高频时C随着Vg减少，并将趋于一个定值

VG染色中胶原纤维呈()色

以下几个选项中，都属于目标检测算法的是（ ） A: GoogleNet、Faster RCNN B: RCNN、SS C: YOLO 、VG D: Faster RCNN E: Faster RCNN、ResNet F: VG G: SS H: GoogleNet、ResNet I: Faster RCNN、VG

下列选项中不能用来判断一个整数n是偶数的是() A: n%2==0 B: n%2!=1 C: n/2==n//2 D: n/2!=n//2