以下程序的输出结果是( ). struct st { int x;int *y;}*p; int dt[4]={10,20,30,40}; struct st aa[4]={50,&dt[0],60,&dt[0],60,&dt[0],60,&dt[0],}; main( ) { p=aa; printf("%d\n",++(p->x)); }
以下程序的输出结果是( ). struct st { int x;int *y;}*p; int dt[4]={10,20,30,40}; struct st aa[4]={50,&dt[0],60,&dt[0],60,&dt[0],60,&dt[0],}; main( ) { p=aa; printf("%d\n",++(p->x)); }
以下程序的输出是()。structst{intx;int*y;}*p;intdt[4]={10,20,30,40};structstaa[4]={50,&dt[0],60,&dt[0],60,&dt[0],60,&dt[0]};main(){p=aa; printf("%d\n",++(p->x)); }? 60|10|11|51
以下程序的输出是()。structst{intx;int*y;}*p;intdt[4]={10,20,30,40};structstaa[4]={50,&dt[0],60,&dt[0],60,&dt[0],60,&dt[0]};main(){p=aa; printf("%d\n",++(p->x)); }? 60|10|11|51
Ph染色体是哪一组染色体异常() A: At(15;17) B: Bt(6;9) C: Ct(9;22) D: Dt(4;8) E: Et(18;21)
Ph染色体是哪一组染色体异常() A: At(15;17) B: Bt(6;9) C: Ct(9;22) D: Dt(4;8) E: Et(18;21)
一半径为R的导体球表面的面电荷密度为σ,则在距球面R处的电场强度 A: σ/ε0 B: σ/2ε0 C: σ/4ε0 D: σ/8ε0
一半径为R的导体球表面的面电荷密度为σ,则在距球面R处的电场强度 A: σ/ε0 B: σ/2ε0 C: σ/4ε0 D: σ/8ε0
质点作曲线运动,r表示位矢,s表示路程,aτ表示切向加速度大小,下列表达式中( ) (1)dv/dt=a; (2)dr/dt=v; (3)ds/dt=v; (4)|dv/dt|=aτ.
质点作曲线运动,r表示位矢,s表示路程,aτ表示切向加速度大小,下列表达式中( ) (1)dv/dt=a; (2)dr/dt=v; (3)ds/dt=v; (4)|dv/dt|=aτ.
已知如下外圆车刀的主要角度,试画出它们切削部分的示意图:γ0=10º,α0=8º,Κr=60 º,Κr'=10 º,λs=4 º
已知如下外圆车刀的主要角度,试画出它们切削部分的示意图:γ0=10º,α0=8º,Κr=60 º,Κr'=10 º,λs=4 º
判定系数R2的取值范围为() A: 0≤R≤2 B: 0≤R≤1 C: 0≤R≤4 D: 1≤R≤4
判定系数R2的取值范围为() A: 0≤R≤2 B: 0≤R≤1 C: 0≤R≤4 D: 1≤R≤4
质点作曲线运动,r表示位矢,s表示路程,aτ表示切向加速度大小,下列表达式中( ...dt=v; (4)|dv/dt|=aτ.
质点作曲线运动,r表示位矢,s表示路程,aτ表示切向加速度大小,下列表达式中( ...dt=v; (4)|dv/dt|=aτ.
设有以下程序 struct st { int x; int *y;} ; main() { int a, b, dt[4]={ 10,20,30,40 }; struct st aa[4]={ 50,&dt[0],60,&dt[1],70,&dt[2],80,&dt[3]},*p; p = aa; a = (++p)->x; b= ++(*p->y); } 程序运行后,a=______,b=______。
设有以下程序 struct st { int x; int *y;} ; main() { int a, b, dt[4]={ 10,20,30,40 }; struct st aa[4]={ 50,&dt[0],60,&dt[1],70,&dt[2],80,&dt[3]},*p; p = aa; a = (++p)->x; b= ++(*p->y); } 程序运行后,a=______,b=______。
如图所示的电路中,已知I=0,则电阻R=()。 A: 2Ω B: 4Ω C: 6Ω D: 8Ω
如图所示的电路中,已知I=0,则电阻R=()。 A: 2Ω B: 4Ω C: 6Ω D: 8Ω