当功率场效应晶体管处于非饱和导通状态时，漏极D和源极S之间导通，漏极电流ID约等于多少？
A: UD/RD
B: βIB
C: βUGS
D: 0
A: UD/RD
B: βIB
C: βUGS
D: 0
举一反三
- 当功率场效应晶体管处于非饱和导通状态时,漏极D和源极S之间导通,漏极电流ID约等于多少?
- MOSFET的沟道处于导通状态时，源漏极电压与漏极电流无关。
- 中国大学MOOC:N沟道增强型场效晶体管，当栅源电压UGS>UGS(th）(开启电压)时，场效晶体管导通，产生漏极电流ID，随栅源电压UGS的变化ID随之变化。
- 场效应晶体管的低频跨导反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，是表征场效应晶体管放大能力的一个重要参数。其定义为：当uDS为规定值时，漏极电流iD的变化量和引起这个变化的( )变化量之比。 A: 漏极电流iD B: 栅源电压uGS C: 栅极电流iG D: 不确定
- 在MOS管的栅极引脚输入高电平,其漏极和源极导通。 ( <br/>)