什么是光刻，光刻系统的主要指标有那些？
光刻（photolithography）就是将掩模版（光刻版）上的几何图形转移到覆盖在半导体衬底表面的对光辐照敏感薄膜材料（光刻胶）上去的工艺过程。光刻系统的主要指标包括分辨率R（resolution）、焦深（depth of focus，DOF）、对比度（CON）、特征线宽（critical dimension，CD）控制、对准和套刻精度（alignment and overlay）、产率（throughout）以及价格。
举一反三
内容
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什么叫光刻？光刻工艺质量的基本要求是什么？
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光刻技术中的曝光方式主要包括下面哪几种？（）。 A: 压印式光刻 B: 投影式光刻 C: 接近式光刻 D: 接触式光刻
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光刻工艺中使用的对准和曝光设备是是现代光刻系统的最主要的组成系统，光刻工艺中最主要的工艺控制项是条宽控制和（）。
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光刻技术中的曝光方式主要包括下面哪三种？（） A: 接触式光刻 B: 接近式光刻 C: 投影式光刻 D: 压印式光刻
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什么是纳米光刻？