关于“陷阱”，以下说法正确的是：
A: 在费米能级附近时，最有利于陷阱效应
B: 在禁带中线附近时，最有利于陷阱效应
C: 陷阱的存在缩短了少子的寿命
D: 陷阱中心是浅能级杂质
A: 在费米能级附近时，最有利于陷阱效应
B: 在禁带中线附近时，最有利于陷阱效应
C: 陷阱的存在缩短了少子的寿命
D: 陷阱中心是浅能级杂质
举一反三
- 最有效的复合中心能级位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能级位置在（）附近，常见的是少子陷阱。
- 最有效的复合中心能级位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能级位置在（）附近，常见的是少子陷阱。 A: EA， B: ED， C: EF， D: Ei
- 关于电子陷阱，下列说法错误的是 A: 电子俘获系数远远大于空穴俘获系数 B: 电子是多数载流子 C: 费米能级以上的能级，越接近费米能级，陷阱效应越显著 D: 费米能级以下的能级，不能起陷阱作用
- 在P型半导体材料中，杂质能级被称之为（ ）。 A: 施主能级 B: 深陷阱能级 C: 受主能级 D: 浅陷阱能级
- 最有效的复合中心能级位置在附近;最有利陷阱作用的能级位置在附近。 A: EA或EDEi B: EiEA或ED C: EFEi D: EiEF