已知某种光电器件的本征吸收长波限为1.4μm,则该材料的禁带宽度为。
0.886 eV
举一反三
内容
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本征吸收的前提是半导体吸收的光子能量大于其禁带宽度。(<br/>)
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中国大学MOOC:杂质吸收的长波限总要长于本征吸收的长波限。
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发生本征吸收的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度。
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常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。
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一般，杂质吸收的长波截止波长高于本征吸收的截止波长