间接复合中，理想条件下，最有效的复合中心能级位置在
举一反三
- 间接复合中，理想条件下，最有效的复合中心能级位置在（） A: 禁带中线处 B: 费米能级处 C: 杂质能级处 D: 导带底部
- 间接复合过程中区别直接复合的是,电子-空穴对通过复合中心能级的参与发生复合,成对消失,而复合中心能级上的载流子数目不发生变化。(<br/>)
- 最有效的复合中心能级位置在（ ） 附近。 A: EA B: ED C: EF D: Ei
- 最有效的复合中心能级位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能级位置在（）附近，常见的是少子陷阱。
- 下列关于复合中心的说法中，错误的是（ ）。 A: 复合中心的重要作用是促进非平衡载流子的复合 B: 复合中心的存在会降低少数载流子的寿命 C: 通过复合中心的复合属于间接复合，比直接复合的几率小 D: 复合中心能级一般在禁带中央附近