【多选题】9 、 CVD 淀积法的特点有() (A) 淀积温度比较低 (B) 吸附不会影响淀积速度 (C) 淀积材料可以直接淀积在单晶基片上 (D) 样品本身不参与化学反应
A. 淀积温度比较低 B. 吸附不会影响淀积速度 C. 淀积材料可以直接淀积在单晶基片上 D. 样品本身不参与化学反应
A. 淀积温度比较低 B. 吸附不会影响淀积速度 C. 淀积材料可以直接淀积在单晶基片上 D. 样品本身不参与化学反应
淀积温度比较低;
淀积材料可以直接淀积在单晶基片上;样品本身不参与化学反应
淀积材料可以直接淀积在单晶基片上;样品本身不参与化学反应
举一反三
- LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>>hg，此时淀积速率的特点为： A: 温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响； B: 淀积速率受气相质量输运控制； C: 淀积速率受表面化学反应控制； D: 反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
- LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>>hg，此时淀积速率的特点为： A: 温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响； B: 淀积速率受气相质量输运控制； C: 淀积速率受表面化学反应控制； D: 反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大。
- 以下哪些属于热化学气相淀积 ( ) A: 常压化学气相淀积 B: 金属有机物化学气相淀积 C: 低压化学气相淀积 D: 光化学气相淀积
- CVD的含义是 A: 化学气相淀积 B: 化学气相淀积
- LPCVD的含义是（）。 A: 常压化学气相淀积 B: 低压化学气相淀积 C: 等离子体化学气相淀积 D: 光化学气相淀积
内容
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CVD的含义是 A: 化学气相淀积 B: 物理气相淀积
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热氧化方法和淀积方法的区别是 A: 热氧化方法硅衬底参与反应。 B: 淀积方法硅衬底参与反应。 C: 热氧化方法硅衬底不参与反应。 D: 淀积方法硅衬底不参与反应。
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低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比，优点有？
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化学气相淀积（CVD）的概念，有哪五种基本化学反应？
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下面关于几种CVD方法的描述正确的是（）。 A: LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜 B: 等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。 C: 低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。 D: 做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能 与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应, 所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。