增强型绝缘栅场效应管,当栅极与源极之间电压为零时 。
不能形成导电沟道
举一反三
内容
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电力MOSFET导通表述正确的是: A: 当栅极电压为零时,N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 B: 当栅极电压小于零时,N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。 C: 当栅极电压大于零时,N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。 D: 当栅极电压大于零时,N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间不能导通。
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绝缘栅型场效应管的栅极与漏极、源极及沟道都是绝缘的
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结型场效应管的栅源之间通常加 偏置电压,因此栅极电流很小;绝缘栅型场效应管的栅源之间有一层 ,因此栅极静态电流几乎等于零。
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电力MOSFET导通表述正确的是: A: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道。 B: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压小于零时漏源极之间存在导电沟道。 C: N沟道增强型电力MOSFET当栅极电压大于零时漏源极之间存在导电沟道。
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栅源控制电压为0时,导电沟道存在的场效应管有 A: 结型场效应管 B: 增强型MOS管 C: 耗尽型MOS管