如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近、电荷相同,则易形成(
A: 表面吸附
B: 混合晶体
C: 机械吸附
D: 后沉淀
A: 表面吸附
B: 混合晶体
C: 机械吸附
D: 后沉淀
举一反三
- 如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（） A: 表面吸附 B: 混晶 C: 机械吸留 D: 后沉淀
- 如果共沉淀的杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近，电荷相同，则易形成（）。 A: 表面吸附 B: 包藏 C: 混晶 D: 后沉淀
- 在沉淀形成过程中，与待测离子半径相近的杂质离子常与待测离子一道与构晶离子形成 A: 吸附共沉淀 B: 混晶共沉淀 C: 包藏共沉淀 D: 后沉淀
- 若杂质离子与沉淀的构晶离子半径相近电荷相同，易形成 A: 过饱和溶液 B: 包埋 C: 后沉淀 D: 混晶 E: 胶体
- 用洗涤方法不可除去的沉淀杂质有(<br/>) A: 混晶共沉淀杂质 B: 包藏共沉淀杂质 C: 吸附共沉淀杂质 D: 后沉淀杂质 E: 表面吸附的离子