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  • 2021-04-14
    中国大学MOOC:"作为放大器件工作时,耗尽型N沟道MOSFET的栅源电压能用正向偏置。";
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    举一反三

    • 作为放大器件工作时,耗尽型NMOSFET的栅源电压能用正向偏置。
    • 下面关于绝缘栅场效应管描述正确的是( )。 A: 耗尽型MOSFET的导电沟道,在未加入栅源电压时是不存在的; B: 增强型MOSFET的导电沟道,只有当栅源电压超过某个阈值时才会出现; C: N沟道耗尽型MOSFET的栅源电压必须小于零 D: N沟道耗尽型MOSFET的栅源电压必须大于零
    • ‏下列场效应管中,栅源电压等于0时存在导电沟道的有 。‎ A: N沟道增强型MOSFET B: N沟道耗尽型MOSFET C: P沟道增强型MOSFET D: P沟道耗尽型MOSFET E: N沟道结型场效应管
    • 中国大学MOOC: N沟道耗尽型场效应管中,栅源电压VGS越大,其导电能力将: 。
    • 中国大学MOOC: 耗尽型N沟道MOS管栅源间电压为0时,也可工作在恒流区。( )

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