关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-06-11 13. 室温下，硅的禁带宽度为1.12eV，其截止工作波长为:（ ）微米 A: 1.1 B: 1.2 C: 1.3 D: 1.4 13. 室温下，硅的禁带宽度为1.12eV，其截止工作波长为:（ ）微米A: 1.1B: 1.2C: 1.3D: 1.4 答案： 查看 举一反三 半导体材料硅（Si）的禁带宽度是（ ）？ A: 1.2 eV B: 1.4 eV C: 1.05 eV D: 1.12 eV 硅材料的禁带宽度为( )eV。 A: 0.7 B: 1.4 C: 2.6 D: 1.12 本征硅的禁带宽度为 A: 1.12 eV B: 1.34 eV C: 3 eV D: 0.66 eV 非晶硅太阳能电池禁带宽度通常为eV（） A: 1.6～1.7 B: 1.5～1.6 C: 1.7～1.8 D: 1.1～1.2 常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。 A: 1.12 B: 2.14 C: 1.42 D: 0.92
