与PN结电容有关的因素有:
A: 非平衡少子
B: 空间电荷
C: 平衡少子
A: 非平衡少子
B: 空间电荷
C: 平衡少子
A,B
举一反三
- 与PN结电容有关的因素有:[br][/br](多选题) A: 非平衡少子 B: 空间电荷 C: 平衡少子
- PN结的形成过程可以简述如下： A: 多子扩散，少子漂移，空间电荷区出现，达到动态平衡 B: 多子扩散，空间电荷区出现，少子漂移，达到动态平衡 C: 少子漂移，空间电荷区出现，多子扩散，达到动态平衡 D: 少子漂移，多子扩散，空间电荷区出现，达到动态平衡
- PN结的形成过程可以简述如下:() A: 多子扩散,空间电荷区出现,少子漂移,达到动态平衡 B: 少子漂移,多子扩散,空间电荷区出现,达到动态平衡 C: 多子扩散,少子漂移,空间电荷区出现,达到动态平衡 D: 少子漂移,空间电荷区出现,多子扩散,达到动态平衡
- PN结外加正向电压时，下面错误的说法是（ ）。 A: N区的电子与空间电荷区中的杂质正离子复合，使得空间正电荷区变窄 B: P区的空穴与空间电荷区中的杂质负离子复合，使得空间负电荷区变窄 C: N区的电子顺着外电场方向运动，越过PN结在P区形成非平衡少子电子的浓度分布 D: P区的空穴顺着外电场方向运动，越过PN结在N区形成非平衡少子空穴的浓度分布
- 直接复合时，小注入的N型半导体的非平衡载流子寿命主要决定于（ ）。 A: 少子浓度 B: 多子浓度 C: 非平衡少子浓度
内容
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了解PN结正向电压—电流特性；多子与少子；非平衡少数载流子注入；正向电流（电池的暗电流）及方向。
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关于PN结的电容效应，下面描述正确的是：（ ） A: PN结的电容效包含有势垒电容效应和扩散电容效应 B: 利用PN结加反向电压时，势垒电容Cb随反向电压u变化的特性，可制成各种变容二极管 C: PN结电容效应很小，只有在高频交流信号作用下，才会表现出来 D: 非平衡少子的电荷量随两端电压的变化而变化，相当于电容的充放电过程，就形成扩散电容
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关于理想pn结中的电流,以下说法正确的有() A: pn结电流等于空间电荷区边界处非平衡少子扩散电流之和。 B: 不论正偏压还是反偏压,流经pn结的电流都是由少子的扩散引起的; C: 在p区和n区内部不仅存在少子扩散电流还存在多子的漂移电流; D: 在特定温度和电压下,整个pn结中电流处处相等且保持恒定;
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PN结外加反向电压时，空间电荷区变宽，阻止少子扩散，表现为截止状态。
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PN结的形成过程可以简述如下：多子扩散，空间电荷区出现，少子漂移，达到动态平衡。