硅、锗和砷化镓三种半导体材料在室温且较纯的情况下，电子迁移率大小顺序为（ ）。
A: μGaAs＜μGe＜μSi
B: μGe＜μSi＜μGaAs
C: μSi＜μGe＜μGaAs
D: 无法比较
A: μGaAs＜μGe＜μSi
B: μGe＜μSi＜μGaAs
C: μSi＜μGe＜μGaAs
D: 无法比较
C
举一反三
内容
- 0
具有闪锌矿结构的半导体材料为（ ）。 A: Si B: Ge C: GaAs D: CdTe
- 1
典型的半导体有（） A: Si B: AI C: Ge D: GaAs
- 2
常见的半导体有（） A: Si B: Ge C: GaAs D: Al
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下列哪种材料是直接带隙半导体材料( ) A: Si B: Ge C: GaAs
- 4
下列晶体结构为闪锌矿型的半导体材料为（）。 A: ZnO B: GaAs C: Ge D: Si