功率MOSFET的极限参数指的是（）。
A: 最大漏极电流
B: 最小漏极电流
C: 最大许用漏-源电压
D: 最小许用漏-源电压
A: 最大漏极电流
B: 最小漏极电流
C: 最大许用漏-源电压
D: 最小许用漏-源电压
举一反三
- MOSFET利用（ ）电压控制（ ）电流的大小，是（ ）器件。 A: 栅漏，漏极，电流控制电流 B: 栅源，漏极，电压控制电流 C: 漏源，漏极，电流控制电压 D: 栅源，栅极，电流控制电压
- 电力MOSFET不存在二次击穿的问题，是由于（）决定了电力MOSFET的安全工作区。 A: 漏源间的耐压，漏极最大允许电流和最大耗散功率 B: 漏极连续电流 C: 栅源极击穿电压 D: 漏极峰值电压
- 场效应晶体管是用()控制漏极电流的。 A: 栅源电流 B: 栅源电压 C: 漏源电流 D: 漏源电压
- 场效应晶体管是用（ ）控制漏极电流的 。 A: 栅源电压 B: 漏源电压 C: 栅源电流 D: 漏源电流
- 场效应晶体管是用（ ）控制漏极电流的 。 A: 栅源电压 B: 漏源电压 C: 栅源电流 D: 漏源电流