关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 关注微信公众号《课帮忙》查题 公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！公告：维护QQ群：833371870，欢迎加入！ 2022-05-27 场效应晶体管器件中的寄生电容包括（ ） A: 直接交叠区电容 B: 外部交叠区电容 C: 源漏结电容 D: 内部交叠区电容 场效应晶体管器件中的寄生电容包括（ ）A: 直接交叠区电容B: 外部交叠区电容C: 源漏结电容D: 内部交叠区电容 答案： 查看 举一反三 题2-2-1、MOS管中相对最大的寄生电容是（）。 A: 栅极氧化层电容 B: 耗尽层电容 C: 源漏交叠电容 D: 结电容 影响放大电路高频区频率特性的主要因素为： A: 耦合电容、旁路电容 B: 晶体管的结电容和电路的分布电容 C: 不考虑所有电容的影响 PN结的电容效应主要包括（ ）。 A: 扩散电容 B: 寄生电容 C: 势垒电容 D: 杂散电容 PN结的结电容包括（）电容和（）电容。 MOS电容可分为栅氧层电容和硅表面空间电荷区电容两部分
