题2-2-1、MOS管中相对最大的寄生电容是（）。
A: 栅极氧化层电容
B: 耗尽层电容
C: 源漏交叠电容
D: 结电容
A: 栅极氧化层电容
B: 耗尽层电容
C: 源漏交叠电容
D: 结电容
举一反三
- 场效应晶体管器件中的寄生电容包括（ ） A: 直接交叠区电容 B: 外部交叠区电容 C: 源漏结电容 D: 内部交叠区电容
- 题2-2-3、下列说法正确的是（）。 A: MOS管的源漏对称，所以器CGS和CGD相同。 B: MOS器件中存在多个寄生电容，在不同频率下，器件的工作特性有较大差异。 C: MOS管的栅极和源极电容值，与MOS管工作状态无关。 D: MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。
- 题5-2-4：如下不是CMOS反相器的负载电容的是 。 A: MOS管的漏-衬底pn结电容CDBN和CDBP B: 下级电路的输入电容Cin C: MOS管的结电容 D: 互连线引起的寄生电容Cl
- 如下不是CMOS反相器的负载电容的是 。 A: MOS管的漏-衬底pn结电容CDBN和CDBP B: 下级电路的输入电容Cin C: MOS管的结电容 D: 互连线引起的寄生电容Cl
- PN结的结电容可分为（ ）。 A: 漂移电容 B: 扩散电容 C: 势垒电容 D: 耗尽电容