Si的导带极值位于第一布里渊区内部。
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举一反三
内容
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硅导带结构为( )。 A: 位于第一布里渊区内沿方向的6个球形等能面 B: 一半位于第一布里渊区内沿方向的6个球形等能面 C: 一半位于第一布里渊区内沿方向的8个椭球等能面 D: 位于第一布里渊区内沿方向的6个椭球等能面
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硅晶体的导带低位于布里渊区中的什么位置?(<br/>) A: 第一布里渊区中心 B: 第一布里渊区边界上四边形中心点 C: 第一布里渊区中心六边形中心 D: 第一布里渊区中心到边界上四边形中心的连线上
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硅的导带极值位于（ ）方向的布里渊区中心到布里渊区边界的0.85倍处。 A: <110> B: <100> C: <111> D: [110]
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硅导带结构为（）。 A: 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个球形等能面 B: 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的6个球形等能面 C: 一半位于第一布里渊区内沿<111>方向的8个椭球等能面 D: 位于第一布里渊区内沿<100>方向的6个椭球等能面
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对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，随着平均原子序数的增加（ ）。 A: 禁带宽度增大 B: 禁带宽度变小 C: 最低导带极值从布里渊区中心移向边界 D: 最低的导带极值从布里渊区中心不变