下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有
A: IGBT开关速度高于电力MOSFET
B: IGBT是电压驱动型器件
C: 电力MOSFET存在二次击穿问题
D: IGBT具有擎住效应
A: IGBT开关速度高于电力MOSFET
B: IGBT是电压驱动型器件
C: 电力MOSFET存在二次击穿问题
D: IGBT具有擎住效应
举一反三
- 下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有 A: IGBT开关速度高于电力MOSFET B: IGBT是电压驱动型器件 C: 电力MOSFET存在二次击穿问题 D: IGBT具有擎住效应
- 电力MOSFET和IGBT属于____(电压,电流)驱动型器件。
- 以下关于IGBT说法正确的是（ ）。 A: IGBT可看作是门极可关断器件和电力MOSFET的复合器件 B: 相比于电力MOSFET，IGBT的耐高压能力更优 C: 相比于电力MOSFET，IGBT的关断时间更短 D: IGBT的输入阻抗高，输入特性与电力MOSFET类似
- IGBT的开关速度要高于电力MOSFET（）
- 电力MOSFET和IGBT是电压驱动型器件，驱动电路比较简单。()