使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是（）
A: uGS大于UGS(th)
B: uGS小于UGS(th)
C: uGS大于UGS(off)
D: uGS小于
A: uGS大于UGS(th)
B: uGS小于UGS(th)
C: uGS大于UGS(off)
D: uGS小于
举一反三
- 使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是（） A: uGS大于UGS(th) B: uGS小于UGS(th) C: uGS大于UGS(off) D: uGS小于
- N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是______。 A: uGS大于UGS(th)并且uGD大于UGS(th) B: uGS小于UGS(th)并且uGD大于UGS(th) C: uGS大于UGS(th)并且uGD小于UGS(th) D: uGS小于UGS(th)并且uGD小于UGS(th)
- 欲使N沟道增强型场效应管具有导电沟道，应使（）。 A: UGS＞UGS,off B: UGS＞UGS,th C: UGS＜UGS,off D: UGS＜UGS,th
- N沟道结型场效应管工作在可变电阻区的条件是（） A: uGS大于UGS(off)并且uGD小于UGS(off) B: uGS大于UGS(off)并且uGD大于UGS(off) C: uGS小于UGS(off)并且uGD大于UGS(off) D: uGS小于UGS(off)并且uGD小于
- N沟道增强型MOS场效应管在( )条件下，才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>;UGS(th) C: UGS>;0 D: UGS<;0