IGBT栅极失去对集电极电流的控制作用,电流失控,这种现象称为( )。
A: 擎住效应
B: 热击穿
C: 发热效应
D: 二次击穿
A: 擎住效应
B: 热击穿
C: 发热效应
D: 二次击穿
举一反三
- IGBT的动态擎住效应比静态擎住效应所需的集电极电流要大。
- IGBT存在擎住效应或自锁效应的原因有 A: 集电极电流过大（静态擎住效应） B: dUCE/dt过大（动态擎住效应） C: 温度升高 D: 内部存在寄生晶闸管
- 引起IGBT擎住效应的因素有 A: 集电极电流过大 B: 过大 C: 温度升高 D: 驱动电流过大
- IGBT集电极电流过大或[img=34x35]17e4360b844dbcd.jpg[/img]过大，都会加重发生擎住效应的危险。
- 在IGBT使用过程中，应（），避免擎住效应，以确保器件的安全。 A: 保证集电极电流不超过最大值 B: 增大栅极电阻 C: 减缓IGBT的关断速度 D: 减小反向电压