引起IGBT擎住效应的因素有
A: 集电极电流过大
B: 过大
C: 温度升高
D: 驱动电流过大
A: 集电极电流过大
B: 过大
C: 温度升高
D: 驱动电流过大
A,A,A,B,C
举一反三
内容
- 0
IGBT动态擎住所允许的集电极电流比静态擎住时还要大。
- 1
以下哪项不是导致焊接喷溅的因素（） A: 电流过大 B: 零件氧化 C: 电极磨损 D: 气压过大
- 2
热电阻中流过的电流过大会使热电阻产生自热现象,从而引起测量误差增大。因此热电阻的工作电流要限制在mA以下
- 3
流过晶闸管的阳极电流小于维持电流时晶闸管阻断，阳极电流大于擎住电流时晶闸管导通。
- 4
19、晶体管的基区扩展效应是由（ ）引起的。 A: A 电压过大 B: B 电流过大 C: C 耗散功率过大 D: D频率过大