施主浓度为[tex=3.429x1.214]IYFF+vDFAXuucF++O7DwJfKNjVe6Mt2rnC5kj2UdIJI=[/tex]的[tex=0.571x0.786]dhexd0YHgG8oWh1T/Sn8zA==[/tex]型硅, 计算[tex=2.286x1.0]2PFQgBiskIBG6U5tWcph26Z/Ir8rh9RM6hYsrtnE57g=[/tex] 时本征载流子浓度、多子浓度、少子浓度和费米能级的位置。
举一反三
- 光照在施主浓度 [tex=6.571x1.429]0WPRVnMXgZFGmBrQcXNcYc2T5ZwYFXDG6hAucoskUif+bJJr+6M3bbtbhLEHTBch[/tex] 的 [tex=0.571x0.786]dhexd0YHgG8oWh1T/Sn8zA==[/tex] 型硅中产生额外载流子 [tex=9.429x1.429]a3mBK50EUc4P09k1hLsQqjYrhfUHubcA4Vl4N0nNbi/5L0+aL/u4ZXc57IuxtKesyFDZGFhNdEIJLCWLopAjyw==[/tex] 。试计算这种情况下准费米能级的位置, 并和原来的费米能级作比较。
- 在室温下[tex=0.571x0.786]dhexd0YHgG8oWh1T/Sn8zA==[/tex] 型zhe的霍耳系数 [tex=6.5x1.5]1DtwRZZlRGlov55rVBDCRR+Z0JqHa/fniyPG8Cw4Mi9gbN3I6mYIMIyMa2Jd395T1oevOwdVlbxCrR4RlVobgg==[/tex], 求载流子浓度。
- 计算含有施主杂质浓度为[tex=7.571x1.429]ryDRQswuZFyBUf8VfWPghqLvBpV3VHDqpPnOWU629ZFGBRYFRCmn5LroPP5RYBw9V7XZbDPV8VutcUqYYFV1nQ==[/tex], 及受主杂质依度为[tex=5.929x1.357]jgoAPJsUHaqQhGkIjP/rt6P34SGVbg77LnafUvIQzlDR4ns+KaFEwCHHdCqlLDUl[/tex], 的硅在[tex=2.286x1.0]H6uK42SpKggH3fvfMABxS1XcGBbKL9ci0PZZo8yGs+E=[/tex]时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。
- 某p型半导体掺杂浓度[tex=6.643x1.286]plrl2/UlyABWiduu8Zq61e9x1CkeFdJgurhPRZ7IEPE=[/tex]少子寿命[tex=4.286x1.286]3CumpqOqhKjEhG8WAsLRardP2K4Ev3kTkaCXY+ydLq0=[/tex],在均匀光的照射下产生非平衡载流子,其产生率[tex=6.929x1.286]q0gSDJSaEpr1ub9fp0HL+r11G5Hk56is7Pa5Cuma+mktAcdKGoGXmP7OtDP6bh+3[/tex]试计算室温时光照情况下的费米能级并和原来无光照时的费米能级比较。设本征载流子浓度[tex=6.143x1.286]j+TB+wC7ELZ68nbN5qmCaGHk2ujAt0hqXgFhn4P9EqE=[/tex]。
- 掺施主浓度[tex=6.429x1.429]ryDRQswuZFyBUf8VfWPght8G0Q/0KL1nmMY6cw0J/Q7dyAMTTFnHvNs73ni2lB8JLMRNPQh0nGImSBBctKvaeg==[/tex]型硅，由于光的照射产生了非平衡载流子[tex=8.286x1.429]a3mBK50EUc4P09k1hLsQqjYrhfUHubcA4Vl4N0nNbi/5L0+aL/u4ZXc57IuxtKesyFDZGFhNdEIJLCWLopAjyw==[/tex] 。试计算这种情况下的准费米能级位置，并和原来的费米能级作比较。