耗尽型NMOS场效应具有原始导电沟道，在（）时，即可形成ID。
A: UGS＞UT
B: UGS＜UT
C: UGS=0
D: UGS＜UP
A: UGS＞UT
B: UGS＜UT
C: UGS=0
D: UGS＜UP
举一反三
- N沟道增强型MOS场效应管在( )条件下，才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>;UGS(th) C: UGS>;0 D: UGS<;0
- 增强型N沟道MOSFET/MOS场效应管在( )条件下，才会形成导电沟道。 A: UGS=0 B: UGS>;UGS(th) C: UGS>;0 D: UGS<;0
- 使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。 A: UGS大于UGS(th) B: UGS小于UGS(th) C: UGS大于UGS(off) D: UGS小于UGS(off)
- 使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是（） A: uGS大于UGS(th) B: uGS小于UGS(th) C: uGS大于UGS(off) D: uGS小于
- 欲使N沟道增强型场效应管具有导电沟道，应使（）。 A: UGS＞UGS,off B: UGS＞UGS,th C: UGS＜UGS,off D: UGS＜UGS,th