MOS电容器的基本结构包含______
A: 金属（栅极/电极）
B: 氧化物（SiO2）
C: 半导体（Si衬底）
D: 以上都不是
A: 金属（栅极/电极）
B: 氧化物（SiO2）
C: 半导体（Si衬底）
D: 以上都不是
举一反三
- 是按一定规律排列的MOS（金属—氧化物—半导体）电容器组成的阵列。在P型或N型硅衬底上生长一层很薄的二氧化硅，再在二氧化硅薄层上依次序沉积金属或掺杂多晶硅电极（栅极），形成规则的MOS电容器阵列，再加上两端的输入及输出二极管
- MOS结构是指金属-氧化物-半导体结构
- 若是N型Si衬底的MOS结构，当其栅极施加正偏压时，半导体表面附近会形成一层电子积累层。
- 航拍无人机成像的核心器件为CCD即电荷耦合器件,其成像基本单元是MOS电容器,在MOS电容器的栅极施加电压,会在对应的半导体衬底上形成一个______ 。
- 下面哪些说法是正确的（） ⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2，衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2，温度低 A: ⑴⑵ B: ⑵⑷ C: ⑴⑵⑷ D: ⑴⑵⑶⑷