与金属铝容易形成良好欧姆接触的硅衬底是：（）。 A: 本征硅衬底 B: 重掺杂硅衬底 C: 轻掺杂p型硅衬底 D: 轻掺杂n型硅衬底
与金属铝容易形成良好欧姆接触的硅衬底是：（）。 A: 本征硅衬底 B: 重掺杂硅衬底 C: 轻掺杂p型硅衬底 D: 轻掺杂n型硅衬底
压花用的衬底材料非常广泛，有纸质衬底材料、木质衬底材料、纤维织物、玻璃和陶瓷等等。
压花用的衬底材料非常广泛，有纸质衬底材料、木质衬底材料、纤维织物、玻璃和陶瓷等等。
PMOS是在硅衬底上,通过掺杂成导电沟道而成,其衬底和导电沟道的类型是(<br/>)。 A: P型衬底,P型沟道。 B: P型衬底,N型沟道。 C: N型衬底,P型沟道。 D: N型衬底,N型沟道。
PMOS是在硅衬底上,通过掺杂成导电沟道而成,其衬底和导电沟道的类型是(<br/>)。 A: P型衬底,P型沟道。 B: P型衬底,N型沟道。 C: N型衬底,P型沟道。 D: N型衬底,N型沟道。
【多选题】泡罩包装对衬底的要求？ A. 泡罩包装对衬底的要求？ B. 泡罩包装对衬底的要求？ C. 泡罩包装对衬底的要求？ D. 泡罩包装对衬底的要求？
【多选题】泡罩包装对衬底的要求？ A. 泡罩包装对衬底的要求？ B. 泡罩包装对衬底的要求？ C. 泡罩包装对衬底的要求？ D. 泡罩包装对衬底的要求？
MOS晶体管的衬底必须接系统最低电压，以防止源极/衬底、漏极/衬底寄生二极管导通。
MOS晶体管的衬底必须接系统最低电压，以防止源极/衬底、漏极/衬底寄生二极管导通。
MOS晶体管的衬底必须接系统最低电压，以防止源极/衬底、漏极/衬底寄生二极管导通。 A: 正确 B: 错误
MOS晶体管的衬底必须接系统最低电压，以防止源极/衬底、漏极/衬底寄生二极管导通。 A: 正确 B: 错误
衬底的英文单词。
衬底的英文单词。
柔性无机器件通常是在玻璃衬底上沉积薄膜；而柔性有机器件通常是在硅衬底或Ⅲ-Ⅴ族化合物衬底上沉积薄膜。
柔性无机器件通常是在玻璃衬底上沉积薄膜；而柔性有机器件通常是在硅衬底或Ⅲ-Ⅴ族化合物衬底上沉积薄膜。
GaN与硅衬底和蓝宝石衬底的晶格失配度都很大,因此不宜选取蓝宝石作为制备GaN外延薄膜的衬底。(<br/>)
GaN与硅衬底和蓝宝石衬底的晶格失配度都很大,因此不宜选取蓝宝石作为制备GaN外延薄膜的衬底。(<br/>)
抑制离子注入工艺中沟道效应的方法有（ ）。 A: 倾斜衬底 B: 升高衬底温度 C: 降低离子注入能量 D: 衬底表面沉积非晶薄膜
抑制离子注入工艺中沟道效应的方法有（ ）。 A: 倾斜衬底 B: 升高衬底温度 C: 降低离子注入能量 D: 衬底表面沉积非晶薄膜