设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=3.2V时，该管处于 （ ）状态。
A: 截止
B: 导通
C: 可变电阻
D: 反向击穿
A: 截止
B: 导通
C: 可变电阻
D: 反向击穿
举一反三
- 设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于 （ ）区。 A: 截止 B: 可变电阻 C: 放大 D: 击穿
- 设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于（ ）状态。
- 设某增强型N沟道MOS管开启电压UGS(th)=3.6V,试问当它的栅—源电压UGS为3.62V时，该管处于（ ） A: 截止区 B: 导通状态 C: 开关状态 D: 可变电阻区
- 当uGS增大到uGS(th)时，N沟道增强型MOS管形成导电沟道。
- 中国大学MOOC:N沟道增强型场效晶体管，当栅源电压UGS>UGS(th）(开启电压)时，场效晶体管导通，产生漏极电流ID，随栅源电压UGS的变化ID随之变化。